芯联集成电路制造股份有限公司

企业

芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于浙江省，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，经营范围涵盖半导体集成电路芯片制造、针测及测试、测试封装、先进晶圆级封装、电子元器件及光学元器件研发及制造、光刻掩膜版开发制造、模具制造与加工、与集成电路、电子/光学元器件有关的开发、设计服务、技术服务、销售自产产品、并提供相关技术咨询和技术服务等。

科创板高新技术企业股权质押IPO申报计算机、通信和其他电子设备制造业

成立于 2018 年浙江省https://www.unt-c.com/unt@unt-c.com

数据集列表

针对400微米刻蚀深度的刻蚀均匀性采集实验数据

本数据内容来源于课题1的指标1.4，要求刻蚀深度400微米（器件规格：400微米±20微米）的条件下刻蚀均匀性<3%，数据内容主要包括研发阶段的实验室数据，小试，中试和示范工程研发成功后将工艺技术逐步应用到各个产品上的四个阶段数据。类型是文件，共2件。其中文件1采用自测试方式，采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2023年10月~2024年11月。文件2采用第三方测试的方式进行采集，采集地点为江苏省苏州市，采集时间2023年10月7日~2023年10月16日。数据量2.12MB。

国家基础学科公共科学数据中心130

针对40微米湿法腐蚀的片内均匀性的采集实验数据

本数据内容来源于课题1的指标1.6，要求腐蚀侧掏为40微米（器件规格：40±3微米）的条件下刻蚀均匀性<2%，数据内容主要包括研发阶段的实验室数据，小试，中试和示范工程分别是研发成功后将工艺技术逐步应用到各个产品上的四个阶段数据。类型是文件，共2件。其中文件1采用自测试方式，采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2023年10月~2024年11月。文件2采用第三方测试的方式进行采集，采集地点为江苏省苏州市，采集时间2023年10月24日。数据量2.00MB。

国家基础学科公共科学数据中心80

基于成套MEMS批量制造平台成套工艺能力、8寸晶圆生产能力、3类传感器生产良率数据

本数据包括了产品成套工艺能力、8英寸晶圆生产能力、3 类传感器批量生产良率在研究过程中的节点测试数据、最终测试数据，类型是文件，共3件。文件1为成套工艺能力、8英寸晶圆生产能力、3 类传感器批量生产良率测试大纲。文件2为成套工艺能力、8英寸晶圆生产能力、3 类传感器批量生产良率评估方案，采用专家见证测试的方式进行采集，采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2024年12月5日。文件3采用自测试方式，采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2022年1月~2024年12月。数据量3.4MB。

国家基础学科公共科学数据中心70

针对不同片上试验机结构的机电工艺一体化模型采集实验数据

数据包括薄膜冲击片上试验机中薄膜结构的冲击断裂能量、薄膜拉伸片上试验机中薄膜结构的静态抗拉强度、微梁冲击片上试验机中单端固支梁结构的抗冲击弯曲断裂强度、微梁拉伸片上试验机中微梁结构的静态抗拉强度的实验指标数据，另有相关3项标准（微结构弯曲断裂检测方法的IEC 62047-47标准于2024年8月23日发布，微结构拉伸相关的标准IEC 62047-54和微结构冲击断裂相关的标准IEC 62047-55推进到ACD阶段）。类型是文件，共16件。其中文件1~4分别为薄膜拉伸片上试验机、薄膜冲击片上试验机、微梁拉伸片上试验机、微梁冲击片上试验机的仿真数据，均采用自测试方式，采集地点为北京市，采集时间2022年1月~2024年11月。文件5~8分别为薄膜拉伸片上试验机、薄膜冲击片上试验机、微梁拉伸片上试验机、微梁冲击片上试验机的测试数据，均采用专家同行见证测试方式，采集地点为北京市。文件9为片上试验机数据分析报告。文件10~13分别为薄膜拉伸片上试验机、薄膜冲击片上试验机、微梁拉伸片上试验机、微梁冲击片上试验机的测试图片集，采集地点为北京市，采集时间2022年1月~2024年11月。文件14~16为标准文件。数据量89.4MB.

国家基础学科公共科学数据中心40

针对敏感元件与专用电路一体化制造的标准化设计规则数据

本数据包含了敏感元件与专用电路一体化制造的标准设计规则，包括引用文件和术语等定义，光刻版的定义、版图布局规则，对准标记设计规则键合结构的图形设计规则等内容，相应产生2项发明专利。类型是文件，共5件。文件采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2021年12月至2024年11月，数据来源于芯联集成电路制造股份有限公司的生产线上，并相应产生2项发明专利。数据量4.24MB。

国家基础学科公共科学数据中心30

针对圆片键合芯片的键合层间剪切力采集实验数据

数据集包含键合层间剪切力实验中测量计算键合层间剪切力的实验指标数据，包括测试依据、测试方法、测试步骤、测试原始记录数据。类型是文件，共2件。其中文件1采用自测试方式，采集地点为河北省石家庄，采集时间2022年1月~2024年11月。文件2采用专家同行见证测试的方式进行采集，采集地点为河北省石家庄，采集时间2023年7月24日。数据量1.26MB。

国家基础学科公共科学数据中心90

基于敏感元件与专用电路一体化高兼容度的成套低温工艺数据

本数据包含了传感器敏感元件与集成电路一体化器件的设计方案论证及器件的仿真设计，完成了器件的版图设计，工艺开发。包括红外敏感元件的薄膜的性质、低温刻蚀及Asher去胶工艺及低温长时间的烘烤工艺等。类型是文件，共2件。文件采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2022年6月至2024年10月，数据来源于芯联集成电路制造股份有限公司的生产线上，逐步将工艺扩开验证，小试/中试/示范工程，完成产品的量产工作。数据量353kB。

国家基础学科公共科学数据中心70

针对专用集成电路IP设计采集实验数据

本数据集包含通过不同的控制字设定电路的工作状态，产生惯性器件高压电路IP设计、惯性器件电压基准IP设计、惯性器件ADC电路IP设计、惯性器件C/V电路IP设计、麦克风器件低功耗驱动闭环电路IP设计相关的各项指标数据，包括IP设计原理图、结构图、电路版图、原始记录数据等。类型是文件，共10件。其中文件1~4分别为惯性器件电压基准IP设计、惯性器件高压电路IP设计、惯性器件ADC电路IP设计、惯性器件C/V电路IP设计，文件采集地点为河北省石家庄，采集时间2022年1月至2024年11月，数据来源于仿真设计。文件5为低功耗驱动闭环电路IP设计，文件采集地点为山东省青岛市，采集时间2022年1月至2024年11月，数据来源于仿真设计。文件6~9分别为惯性器件电压基准IP设计、惯性器件高压电路IP设计、惯性器件ADC电路IP设计、惯性器件C/V电路IP设计的支撑数据，包含仿真原理、版图设计等，文件采集地点为河北省石家庄，采集时间2022年1月至2024年11月。文件10为低功耗驱动闭环电路IP设计的支撑数据，文件采集地点为山东省青岛市，采集时间2022年1月至2024年11月。数据量14.3MB。

国家基础学科公共科学数据中心80

针对MEMS器件的敏感元件标准化设计的规则数据

本数据包含了麦克风、惯性器件、压力传感器三个类别产品的标准设计规则，包括引用文件和术语等定义，光刻版的定义、版图布局规则，对准标记设计规则键合结构的图形设计规则等内容。类型是文件，共3件。文件采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2021年12月至2024年11月，数据来源于芯联集成电路制造股份有限公司的生产线上。数据量2.39MB。

国家基础学科公共科学数据中心80

针对MEMS器件的标准化制造工艺的规程数据

本数据集数据包含了麦克风、惯性器件、压力传感器三个类别产品的工艺规程，规程内容包括器件加工的规范、工艺条件、基本的工艺规程和制作方法、安全操作以及检验等要求，相应产生7项发明专利。类型是文件，共17件。其中文件1~3为工艺规程，文件采集地点为浙江省绍兴市，采集时间2021年12月至2024年11月，数据来源于芯联集成电路制造股份有限公司的生产线上。文件4~17为相应发明专利申请受理通知书及发明专利申请。数据量9.48MB。

国家基础学科公共科学数据中心80