后段集成的高良率、低功耗、高可靠性铁电存储芯片

数据集主要面向后段集成的铪基提诶单存储芯片制造技术，采用提出的铪基铁电存储器低温工艺方案，基于130nm CMOS技术，通过后段工艺制备了具有大初始Pr和低工作电压的TiN/HZO/TiN电容器，实现了256 Kbit 1T1C FeRAM芯片。该芯片表现出100%的初始芯片良率，1012次写入周期后>150mV的感测裕度，2V写入电压下的功耗为0.7pJ/bit，具有超过10^12的耐久性和10年的数据保持能力。 数据集记录了所制备芯片的主要形貌、电学性能数据以及良率测试结果。所有电学特性均由自研的FPGA测试系统完成。 数据集的容量共1MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于后段集成的铪基铁电存储芯片制造技术，通过低温工艺方案在130nm CMOS平台上实现了256 Kbit 1T1C FeRAM芯片。芯片具备100%初始良率、低功耗和高可靠性等优异性能，数据集记录了其形貌、电学特性及良率测试结果。