存储单元功耗研究

该数据集为TiN/HfOx/TaOx/TiN 阻变存储器操作功耗与操作速度的原始数据，数据集记录了阻变存储器器件经过初始forming过程后，在set和reset过程中的操作功耗与操作速度。数据的测试时间范围为2024年8月-2024年9月，测试地点为中国科学院微电子研究所，微电子器件与集成技术重点实验室工艺与电学测试平台。数据集中的电学数据为阻变存储器器件在不同脉冲条件下进行set和reset过程中的操作功耗与操作速度。数据集实体文件中共包含“优选的阻变存储器操作功耗”和“阻变存储器操作速度”。分别测试三个器件，包括从B1500半导体参数测试仪导出的原始图片和原始数据等。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于TiN/HfOx/TaOx/TiN阻变存储器的操作功耗与速度研究，提供了2024年8月至9月在中国科学院微电子研究所测试的原始数据，涵盖set和reset过程的电学性能，包含37个文件共计28.38MB的图片与数据。