高温器件仿真及设计数据集

数据集通过中中央财政专项资金和自筹资金，以国家智能传感器领域重大需求为牵引，围绕传感器研发支撑平台这一技术方向，针对高温传感器配套专用集成电路（ASIC）制造的难题，探索250℃高温下器件沟道载流子输运机制与栅介质电荷积累及缺陷产生机理，研究多物理场耦合作用下电子与金属原子动量传递与扩散效应，拟解决的科学问题：多物理场耦合作用下电子与金属原子动量传递与扩散效应；通过对自主研发的智能传感器相关器件开展试验，通过仿真技术手段采集了高温条件下SOI CMOS工艺器件的阈值电压、饱和电流、漏电流等变化量和栅介质经时击穿等数据，揭示 SOI CMOS 器件高温失效机理，为智能传感器研发生产提供理论参考和数据支撑。