Muonium Defect Levels in 4H Silicon Carbide
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We propose to obtain the temperature dependence of the diamagnetic spin-precession amplitudes up to 1100 K for the three electrical types of 4H-SiC in order to extract the Mu...
本研究拟获取三种电学类型的4H碳化硅（4H-SiC）在最高达1100 K温度下的抗磁自旋进动振幅的温度依赖性，以提取Mu……
