微纳机电传感器芯片的制备测试数据集

本数据集内为对于大规模二维单层二硫化钼谐振器阵列中样本器件的谐振性质测试数据。测试对象具体包括1. 采用射频交变电压调制405纳米半导体激光器以对于单个谐振器进行光热激振，并通过633纳米激光干涉仪测试二硫化钼薄膜的振幅，经谐振器的调制后的光信号被固定增益光电探测器转化为交变电压信号的幅值和相位被矢量网络分析仪测得。该项目测得的具有谐振性质的器件（包含每个器件的光电压幅值、相位与参考激振电压频率）共50个，编为01号至050号；不具备谐振性质的器件共4个，编为051至054号。此外，该项目亦测试了非悬空的二硫化钼薄膜的谐振性质作为对照组，编为055号。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于微纳机电传感器芯片的制备与测试，主要包含大规模二维单层二硫化钼谐振器阵列的谐振性质测试数据。通过光热激振和激光干涉仪测量，涵盖了50个具有谐振性质的器件、4个非谐振器件及1个对照组，涉及幅值和相位等关键参数。