中波红外HgCdTe台面雪崩二极管暗电流依赖反向电压的机制数据集

主要研究了中波长红外Hg1−xCdxTe(x=0.3)台面p-i-n雪崩二极管的暗电流与反向电压的关系机理。结果表明，低温下Hg1−xCdxTe台地p-i-n检测器，暗电流主要是由隧穿电流引起的。随着反向电压的增加，暗电流的主要成分由陷阱辅助隧穿电流转变为直接带对带隧穿电流。主要记录了光电流、暗电流等仿真值，数据量306KB.

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于中波红外HgCdTe台面雪崩二极管暗电流与反向电压的关系机理，通过仿真数据揭示了低温下暗电流主要由隧穿电流主导，且随反向电压升高，其主导成分从陷阱辅助隧穿电流转变为直接带对带隧穿电流。数据集记录了光电流、暗电流等仿真值，数据量约306KB，为理解该类器件的暗电流机制提供了基础数据。