硅光芯片单模光纤与小芯径光纤耦合测试数据

主要针对硅光芯片与单模光纤之间的耦合损耗测试，通过可调谐光源设置1550nm波长光源，通过偏振控制器实现TE模式输出，通过单模光纤耦合小芯径光纤然后和硅光芯片进行端面耦合，通过硅光芯片输出端的小芯径光纤与单模光纤连接到探测器端测试出整体的芯片链路损耗值，当前硅光芯片两个耦合端口及片上损耗合计测试值为5.3dB；从而换算出硅光芯片的单端口耦合损耗＜2.65dB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于硅光芯片与单模光纤之间的耦合损耗测试，通过1550nm波长光源和TE模式输出，采用端面耦合方法测量整体芯片链路损耗为5.3dB，并推算出单端口耦合损耗低于2.65dB。数据来源于国家重点研发计划项目，包含多种文件格式的测试结果。