半导体二维原子晶体的可控生长

本课题主要面向大面积、高质量新型半导体二维原子晶体材料的可控制备研究，采用 MBE 方法在不同衬底表面生长出高质量、大面积的二维原子晶体材料，实现低成本的材料制备，数据由多种测量手段产生，主要利用扫描隧道显微镜（STM），角分辨光电子能谱（ARPES）、原位的高分辨电子能量损失谱（HREELS）、拉曼光谱（Raman）、X 射线光电子能谱（XPS）、扫描透射电子显微镜（STEM）、物性测量系统（PPMS）等探测技术手段。同时通过与第一性原理计算相结合，找到决定半导体二维原子晶体材料生长的关键因素，建立半导体二维原子晶体材料的生长模型，在原子尺度上理解不同基底上的生长模式及机制，指导下一步的实验，实现材料的可控制备。数据集主要包含原始数据，分析数据以及成果三个子集，数据量1GB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于大面积、高质量半导体二维原子晶体的可控制备研究，通过MBE方法和多种探测技术（如STM、ARPES等）结合第一性原理计算，旨在建立生长模型并指导实验。数据集包含原始数据、分析数据和成果三个子集，总数据量为1GB。