结构光场纳米位移传感器原型的性能测试数据集

先进制造装备与工艺完全被国外垄断与封锁，精度优于10nm的光栅位移传感器完全被如海德汉、索尼、PI等公司所垄断，对中国禁运。我国由于在纳米制造装备与工艺方面的瓶颈问题，尚不具备纳米精度光栅位移传感器的制造能力。本数据集包含线位移传感器实验原型（量程50mm）、角位移传感器实验原型的测试数据，包括第三方测试报告、研究过程的实验测试数据。本数据产生的时间是2022年1月1日至2023年12月30日，地点为西安交通大学微纳制造实验室，表中数据是通过激光干涉仪测得。本数据集中的文件夹包括Excel数据文件和PDF第三方测试报告。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集针对国内纳米精度光栅位移传感器制造瓶颈，提供了结构光场纳米位移传感器原型的性能测试数据。它包含线位移和角位移传感器实验原型在2022年至2023年期间的测试结果，包括第三方测试报告和实验数据，通过激光干涉仪在西安交通大学微纳制造实验室测得，并以Excel、PDF等格式存储。