用于材料生长的MOCVD装备优化数据

有机金属化学气相沉积装置(MOCVD)是生长铟镓氮(InGaN)基长波段发光二极管(LED)材料的核心装备。本数据集提供了MOCVD装备优化设计与生长实验数据，包括，采用计算流体动力学(CFD)软件，构建MOCVD反应室模型，设置不同条件参数，模拟仿真不同条件下MOCVD反应室内部的气流场、温度场、化学场分布情况，产生的模拟仿真数据；参考模拟仿真结果，自主设计制造MOCVD装备的喷头和反应管实物，产生的结构图纸数据；采用用自主研制的MOCVD进行材料生长实验，使用二次离子质谱仪(SIMS)测试材料，产生的实验结果数据。本数据集可为MOCVD设计与制造提供参考，推动InGaN长波段LED材料生长高端装备技术进步与自主可控。数据总量55MB。