新型超导体的电阻转变测试

长期以来，由于半导体工业的需求，人们对单质硅中砷原子的掺杂、扩散机制、分子动力学规律等进行了大量而详实的研究，但是对于硅化合物中的砷掺杂却一直鲜有报道。为实现Mo5Si3的电子型载流子掺杂调控，详细研究了该体系中Si位的As掺杂合成条件，发现在1600度高温下通过固相反应可以成功实现As对Mo5Si3的掺杂调控。Si原子在Mo5Si3中占有4a（Si1）和8h（Si2）两个位置，而As原子有选择性地占据了Si2的位置，从而导致As对Si的最大掺杂比例为1/3。通过一系列的高质量样品制备和掺杂研究，他们发现As掺杂引入的电子将该体系从拓扑半金属转变为超导体，在最大掺杂含量的化学相Mo5Si2As中超导Tc 达到最高7.7 K。相关研究成果已发表在Inorganic Chemistry 61, 10267 (2022), 并被编辑以“Arsenic Introduces Superconductivity in a Silicide”为题目选为期刊封面论文。 超导体具有零电阻转变，可以通过变温电阻测试验证。本数据集包含项目资助下发现的两种新型超导体Cs2Mo3As3和Mo5Si2As的相关电阻超导转变测试原始数据文件，由Quantum Design公司的PPMS设备测试获取。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集包含通过PPMS设备测试获取的两种新型超导体Cs2Mo3As3和Mo5Si2As的电阻超导转变原始数据。其中，As掺杂使Mo5Si2As体系从拓扑半金属转变为超导体，最高超导转变温度达7.7K。数据文件格式包括jpg、dat和docx，总数据量约220.71MB。