Wyniki zawarte dotyczą temperaturowej zależności pasma wzbronionego dla struktur wielowarstwowych domieszkowanych Eu {ZnCdO/ZnO}30 wykonanych metodą MBEDane zawierają badania wielo-warstw tlenkowych.
Figure 4: Characteristic I-V behavior as a function of time for the Al–ZnO(15 min)/ZnO(100 min)/ITO/glass sample (ZA1). Voltage sweep (0 V–2 V–0 V)×5 and (0 V–(-2) V–0 V)×5 with frequencies of (a) 20
A MOS array was fabricated on a 130nm 3k Ω· cm high resistance silicon substrate, and the leakage current characteristics, output curves, and transfer curves of NMOS and PMOS were tested under high su