100mK下光场、微波场与自旋态耦合强度数据集

该实验测试数据在电子科技大学完成。采集时间为2020年。使用谐振腔采集100mK下三量子点点间隧穿信号和自旋比特的能谱信息，这两个参数都使用栅极电压进行实验调整：ε通过增加VL和降低VR而增加，而D通过增加VL和VR降低VM而增加。为了表征耦合强度的大小，我们测量了谐振腔的透射谱线随量子比特失谐量的变化关系，通过提取共振峰位置，我们拟合得到了比特和谐振腔的全局耦合强度gs=51 MHz。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集包含在100mK低温环境下，通过谐振腔采集的三量子点点间隧穿信号和自旋比特能谱实验数据。通过调整栅极电压参数，测量谐振腔透射谱线随量子比特失谐量的变化，最终拟合得到光场、微波场与自旋态之间的全局耦合强度为51 MHz。