无铅全无机钙钛矿修饰的高性能肖特基接触GaSb纳米线光电探测器

采用化学气相沉积方法在GaSb NWs表面原位生长了功函数较低、带隙较宽的全无机无铅钙钛矿，在GaSb NWs与钙钛矿界面处发生电荷转移，导致GaSb NWs能带向下弯曲，成功的增加了金属电极与GaSb NWs之间的势垒高度和宽度，实现了肖特基接触。相较于欧姆接触，肖特基接触的GaSb NWs光电探测器性能大幅提升，暗态电流从450 nA降低至2 pA，Ilight/Ioff从1.1提高至102以上，响应时间也缩短了至少15倍。更重要的是，采用接触印刷技术制造的肖特基接触平行阵列GaSb NWs光电探测器，证明了大规模肖特基接触器件集成的可行性，同时表现出优异的红外成像性能。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于通过无铅全无机钙钛矿修饰GaSb纳米线，实现了高性能肖特基接触光电探测器。实验表明，这种修饰显著提升了器件性能，包括降低暗态电流、提高开关比和缩短响应时间，并验证了大规模器件集成与红外成像应用的可行性。