开发极低温强磁场THz联合测量技术数据集

太赫兹时域光谱是将Tera Hertz(THz)脉冲与样品发生相互作用, 测量作用后的THz电场强度随时间的变化曲线。若需要, 可对时域曲线进行傅里叶变换, 计算出样品的频域强度及相位信息，测定物质的太赫兹透射谱、反射谱等光谱响应。而通过与极低温强磁场输运联合测量，可对半导体拓扑态在外场、温度等条件下的相变进行测量。为此我们搭建了极低温强磁场输运和THz谱联合测量系统，测量系统实现的测量参数为：最高磁场10T，测量温度1.5K-300K，频率0.1-3.5THz，测量构型Faraday&Voigt。利用极低温强磁场输运和THz谱联合测量技术可以直接测量低能激子的吸收，确定激子凝聚的相，补充低温下激子凝聚的相图。结合InAs/GaSb光学与输运样品设计和制造工艺，包括半透明栅极测试，样品设计，样品接线等，验证其输运特征类似于激子行为，符合InAs/GaSb中出现的激子绝缘体理论预言；联合测量系统的测试数据，包括联合测量系统光学杜瓦输运测试数据，例如光效应影响以及解决方案数据等，表明联合测量系统光学杜瓦重现电学输运结果以及测量系统能够在0.1-3.5THz区域正常工作。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于开发极低温强磁场与太赫兹谱联合测量技术，搭建的系统可实现最高10T磁场、1.5K-300K温度范围和0.1-3.5THz频率的测量。它旨在通过联合测量半导体拓扑态相变和激子凝聚行为，补充相关物理相图，并验证InAs/GaSb样品中的激子绝缘体理论预言。