全二维场效应晶体管器件的纵向集成的异质界面设计与输运性质研究

全二维场效应晶体管器件的纵向集成的异质界面设计与输运性质研究，数据类型为文件，数据量共225MB，共享方式为完全共享。异质界面表征主要基于TEM截面图像、ELLS和EDS图谱，输运性能数据由2019年-2024年在湖南大学低温半导体输运测量系统读取（系统主要包含Lakeshore探针台、Keithley4200以及Agilent1500B），部分表面表征由湖南大学的原子力显微镜实现。以及一篇综述文章。其中，TEM样品制备是采用聚焦离子束（JIB-4501,JEOL）进行切割的，观测是利用湖南大学电镜中心的透射电镜（JEOLJEM-2100F）来源于采用不同集成方法或不同异质材料集成所构建的二维半导体晶体管的微观结构与输运性质研究的数据。以及一篇综述文章。输运数据由2019年-2024年在湖南大学半导体学院和物理与微电子科学学院电学输运平台测量得到，样品施加的源及读取的数据通过直流表Keithley4200、Agilent1500B和Keithley4155C等实现。 数据采集时间地点：湖南大学、武汉大学；数据采集时间：2019.9.1-2024.8.31。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于全二维场效应晶体管器件的纵向集成异质界面设计与输运性质研究，包含225MB的文件数据，采用完全共享方式。数据涵盖2019年至2024年在湖南大学和武汉大学采集的异质界面表征（如TEM、EELS、EDS）和输运性能测量结果，并关联一篇综述文章。