磁控电子能带结构效应理论计算研究

基于理论模型分析，我们我们提出了磁控电子能带结构效应：通过外磁场调控自旋/磁化方向，借助于自旋轨道耦合，实现电子能带结构的巨大改变，其改变量高达10-1 eV，比塞曼劈裂高三个量级。我们进一步以二维磁性材料CrI3为例进行材料计算，预测该材料具有巨大的磁控电子结构效应，磁化方向的改变可驱动其带隙、费米面及拓扑相的改变。数据量为192MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于磁控电子能带结构效应的理论计算研究，提出通过外磁场调控自旋方向可大幅改变电子能带结构，并以二维磁性材料CrI3为例预测了带隙、费米面及拓扑相的调控效应。数据包含密度泛函理论计算结果，总量约192MB。