SnTe-PbTe线性磁电阻数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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本项目使用分子束外延（MBE）的方法，在STO(111)基片上可控外延生长了高质量纳米级的PbTe/SnTe异质结，通过控制生长温度在SnTe中实现从立方到菱方的结构相变，并制备出不同结构的PbTe/SnTe异质结。有明锐界面的PbTe/SnTe异质结具有最大可达到2150%的不饱和巨线性磁电阻。
提供机构：
中国科学院金属研究所
社区交流群
科研交流群
商业服务
本项目使用分子束外延（MBE）的方法，在STO(111)基片上可控外延生长了高质量纳米级的PbTe/SnTe异质结，通过控制生长温度在SnTe中实现从立方到菱方的结构相变，并制备出不同结构的PbTe/SnTe异质结。有明锐界面的PbTe/SnTe异质结具有最大可达到2150%的不饱和巨线性磁电阻。