Pushing the Study of Point Defects in Thin Film Ferrites to Low Temperatures Using In Situ Ellipsometry

Dataset for article "Pushing the Study of Point Defects in Thin Film Ferrites to Low Temperatures Using In Situ Ellipsometry" published in Adv. Mater. Interfaces 2021, 8, 2001881. The data includes: XRD data of La1-xSrxFeO3 thin films Optical conductivity of LSF films as a function of oxygen partial pressure and Sr content Concentration of electronic holes in LSF thin films as a function of oxygen partial pressure and temperature Defect chemistry models employed for describing the concentration of point defects in LSF thin films. Equilibrium constants for oxygen incorporation reactions in LSF thin films at different temperatures Ellipsometry raw data of LSF50 thin film as a function of equivalent oxygen pressure Electrochemical impedance spectra of the LSF50 thin film at 400 ºC

本数据集配套于发表于《Advanced Materials Interfaces》（Adv. Mater. Interfaces）2021年第8卷，文章编号为2001881的论文《利用原位椭偏光谱法将薄膜铁氧体中点缺陷的研究拓展至低温条件》，数据集包含以下内容：
1. La₁₋ₓSrₓFeO₃薄膜的X射线衍射（XRD）数据；
2. 镧锶铁氧体（La₁₋ₓSrₓFeO₃，简称LSF）薄膜的光导率随氧分压与锶掺杂量的变化关系；
3. LSF薄膜中的电子空穴浓度随氧分压与温度的变化关系；
4. 用于描述LSF薄膜中点缺陷浓度的缺陷化学模型；
5. 不同温度下LSF薄膜中氧掺入反应的平衡常数；
6. LSF50薄膜的椭偏光谱原始数据随等效氧分压的变化关系；
7. LSF50薄膜在400 ℃下的电化学阻抗谱。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集支持一篇2021年发表在《Adv. Mater. Interfaces》上的研究文章，专注于利用原位椭圆偏振光谱等技术，将铁氧体薄膜中点缺陷的研究推向低温范围。数据集核心内容包括La1-xSrxFeO3（LSF）薄膜的结构（XRD）、光学性质（如光学电导率）和电化学性质（如阻抗谱）数据，这些数据系统地关联了氧分压、温度、锶含量等关键变量，用于分析和建模点缺陷浓度。